半導体集積回路装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐野静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-010025
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015680
出願日： 2000年01月13日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】チップサイズを変えることなくメモリ容量を増加することが可能なICを提供する。【解決手段】 ICのメモリブロックの入出力端子に接続されている配線にパッドを設けて、他のメモリチップの入出力パッドをICのパッドに接続し得るようにする。メモリチップをICに積層してパッド同士を接続することで、メモリの増設がなされる。ICにはメモリブロックおよびメモリチップを使用するか否かの制御をするための制御回路を備えておき、必要に応じて使用するメモリを切り換える。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路装置において、内蔵されたメモリブロックの選択または非選択信号の切り換え手段および増設メモリの選択または非選択信号の切り換え手段を有し、上記切り換え手段として切り換えの制御を行うための選択信号生成回路を設け、また内部に増設メモリと内蔵されたメモリブロックとの接続用パッドを設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 27/10 495

FI (3件)：

H01L 25/08 B , H01L 27/10 495 , H01L 25/08 Z

Fターム (11件)：

5F083CR00 , 5F083GA10 , 5F083GA30 , 5F083KA15 , 5F083KA16 , 5F083LA10 , 5F083LA17 , 5F083LA18 , 5F083LA21 , 5F083MA01 , 5F083MA15

引用特許：

出願人引用 (5件)

機能変更可能な半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-282507 出願人：富士ゼロックス株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-170003 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-010056 出願人：株式会社ティ・アイ・エフ

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審査官引用 (1件)

機能変更可能な半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-282507 出願人：富士ゼロックス株式会社

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