半球状シリコン結晶粒構造の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-010511
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121718
出願日： 1998年01月22日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】集積回路におけるコンデンサーの下部電極として半球状シリコン結晶粒構造を製造する方法を提供する。【解決手段】多結晶シリコンがアモルファスシリコンの代わりの核生成サイトとして作用する。半球状シリコン結晶粒構造は化学気相合成法により選択的に形成される。

請求項（抜粋）：

酸化シリコン層および前記酸化シリコン層を貫通するコンタクトホールを有し,前記コンタクトホールが多結晶シリコンで満たされている基材を準備し,前記コンタクトホール及び前記酸化シリコン層の一部をカバーするように多結晶シリコン層を形成,パターン化し,前駆体としてクロロシラン材料を使用して副産物を生成する化学気相合成法により前記基材上に半球状シリコン結晶粒構造を選択的に形成することを特徴とする半球状シリコン結晶粒構造の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , C23C 16/24 , H01L 21/205 , H01L 21/285

FI (4件)：

H01L 27/10 621 B , C23C 16/24 , H01L 21/205 , H01L 21/285 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-115558 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-239936
特開昭64-050416

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