特許
J-GLOBAL ID：200903074504592226
半導体装置のソルダーレジスト被覆方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-107460
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303229
出願日： 1997年04月24日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】本発明は、複数の半導体装置にソルダーレジストを形成する工程において、当該半導体装置の形状変化やソルダーレジストの不良を防止する半導体装置のソルダーレジスト被覆方法を提供することを目的とする。【解決手段】複数の半導体装置(20)をプレート(100)に設けられた開口部に嵌挿し、メッシュ状支持台(101)の上に載置した状態でラミネート装置に収容し、真空ラミネート加工を行うことにより、ドライフィルム(10)が各半導体装置(20)の隙間に潜り込むことを防止し、かつドライフィルム(10)と半導体装置(20)との間の気泡残りを防止する。
請求項（抜粋）：
真空ラミネート加工により半導体装置にソルダーレジストを形成する半導体装置のソルダーレジスト被覆方法において、前記真空ラミネート加工は、1または複数の開口部を有するプレートの当該開口部に前記半導体装置を嵌挿し、当該半導体装置の周縁の少なくとも1部を前記プレートにより占有した状態で行われることを特徴とする半導体装置のソルダーレジスト被覆方法。
引用特許：
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