特許

J-GLOBAL ID：200903074515707939

フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法

発明者： 長谷見 隆司 ,  岩田 恵一 ,  羽田 真由美 ,  池田 英俊
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-069746
公開番号（公開出願番号）：特開平8-262746
出願日： 1995年03月28日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路の製造工程において無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、ドライエッチング後に残存するフォトレジスト層またはアッシング後に残存するフォトレジスト残渣物等を低温でかつ短時間に容易に剥離でき、配線材料を全く腐食せず、水のみでリンスできるフォトレジスト剥離剤組成物を提供する。【構成】アルカノールアミン類、アルコキシアルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を5〜45重量%、グリコールモノアルキルエーテルを1〜25重量%、糖類または糖アルコール類を0.5〜15重量%、第四級アンモニウム水酸化物を0.01〜10重量%を含み、残部が水であるフォトレジスト剥離剤組成物及び該組成物を用いるフォトレジスト剥離方法。

請求項（抜粋）：

(1) 一般式 R1 R2 -NCm H2mOR3 (R1 及びR2 は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはヒドロキシエチル基、R3 は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、ヒドロキシエチル基、メトキシエチル基またはエトキシエチル基、m は2〜4の整数)で表されるアルカノールアミン類、アルコキシアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を5〜45重量%、(2) 一般式 R4 -(Cp H2pO)q -R4 (R4 は水素または炭素数1〜4のアルキル基、p は2〜3の整数、q は1〜3の整数)で表されるグリコールモノアルキルエーテルを1〜25重量%、(3) 糖類または糖アルコール類を0.5〜15重量%、(4) 一般式[(R5 )3 N-R6 ]+ OH- (R5 は炭素数1〜4のアルキル基、R6 は炭素数1〜4のアルキル基またはヒドロキシアルキル基)で表される第四級アンモニウム水酸化物 0.01〜10重量%を含み、残部が水であることを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物。

IPC (2件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• レジスト用剥離液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-220410   出願人：関東化学株式会社
• ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-105186   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 関東化学株式会社
• 特開昭64-088548