特許
J-GLOBAL ID：200903074533650553
金属被覆ポリイミド基板
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-297780
公開番号（公開出願番号）：特開平11-117060
出願日： 1997年10月15日
公開日（公表日）： 1999年04月27日
要約：
【要約】【課題】 表面改質処理によりポリイミドフィルム表面に変質ポリイミド層を形成させる方法において、変質ポリイミド層の分子構造を最適化することにより、ポリイミドフィルムと第1金属層間の密着性を向上させた金属被覆ポリイミド基板を提供すること。【解決手段】 ポリイミドフィルムの少くとも一面に、接着剤を介することなく複数層の金属層が形成され、かつ前記金属層のうちポリイミドフィルムに接する第1金属層が乾式めっき法により形成された基板において、該第1金属層と接するポリイミドフィルムの表層部に、イミド環が開環して生成したカルボキシル基と、イミド環の窒素および/またはイミド環が開環して生成した第二アミドの窒素と結合したベンゼン環に少くとも1つの水酸基が付加された分子構造を有する変質ポリイミド層を形成してなる金属被覆ポリイミド基板を特徴とする。
請求項（抜粋）：
ポリイミドフィルムの少くとも一面に、接着剤を介することなく複数層の金属層が形成され、かつ前記金属層のうちポリイミドフィルムに接する第1金属層が乾式めっき法により形成された基板において、該第1金属層と接するポリイミドフィルムの表層部に、イミド環が開環して生成したカルボキシル基と、イミド環の窒素および/またはイミド環が開環して生成した第二アミドの窒素と結合したベンゼン環に少くとも1つの水酸基が付加された分子構造を有する変質ポリイミド層を形成してなることを特徴とする金属被覆ポリイミド基板。
IPC (3件)：
C23C 14/20
, C09D179/08
, H05K 3/38
C23C 14/20 A
, C09D179/08 Z
, H05K 3/38 A
