半導体装置の磁気シールド方式および磁気シールド膜形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：布施行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-170002
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017656
出願日： 1994年06月29日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】半導体基板上に形成されたインダクタ導体から外部への磁気的影響を最小限に抑える。【構成】半導体基板10にはその表面で隣接する位置に2つのインダクタ導体12,14が形成されている。一方のインダクタ導体12は磁性体16により、他方のインダクタ導体14は磁性体18によりそれぞれ覆われている。各インダクタ導体12,14によって発生する磁束は、それぞれを覆っている磁性体16,18を磁路として分布するため、磁性体16,18の外部への磁束の漏れは殆どなく、各インダクタ導体12,14から外部の素子等に対する磁気的な影響、およびインダクタ導体12,14同士の磁気的結合が防止される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にほぼ平面状に形成されたインダクタ導体を絶縁性磁性体により覆うことにより、前記インダクタ導体の磁気遮蔽を行うことを特徴とする半導体装置の磁気シールド方式。

IPC (3件)：

H01F 27/36 , H01F 17/00 , H05K 9/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体チツプ搭載用電磁装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-255603 出願人：富士電機株式会社
特開昭63-283004
LC複合部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-352858 出願人：池田毅

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