半導体装置の配線形成方法及びスパッタ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-231317
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064908
出願日： 1996年08月13日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】絶縁層の表面にスパッタエッチクリーニング処理を施したとき形成されるSiリッチな層の再酸化を防止し、かかる絶縁層の上に形成される配線材料層の結晶配向性を向上させ得る半導体装置の配線形成方法を提供する。【解決手段】半導体装置の配線形成方法は、(イ)基体上に、シリコン系材料から成る絶縁層を形成する工程と、(ロ)該絶縁層表面にスパッタエッチクリーニング処理を施す工程と、(ハ)該絶縁層上にスパッタ法にて配線材料層を形成する工程と、(ニ)該絶縁層上の該配線材料層をパターニングして配線を形成する工程から成り、前記工程(ロ)において、基体を冷却しながらスパッタエッチクリーニング処理を行う。

請求項（抜粋）：

(イ)基体上に、シリコン系材料から成る絶縁層を形成する工程と、(ロ)該絶縁層表面にスパッタエッチクリーニング処理を施す工程と、(ハ)該絶縁層上にスパッタ法にて配線材料層を形成する工程と、(ニ)該絶縁層上の該配線材料層をパターニングして配線を形成する工程、から成り、前記工程(ロ)において、基体を冷却しながらスパッタエッチクリーニング処理を行うことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/203 , H01L 21/285 , H01L 21/304 341

FI (4件)：

H01L 21/88 B , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S , H01L 21/304 341 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-184329
特開平4-346435
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-014777 出願人：ソニー株式会社

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