特許
J-GLOBAL ID：200903074557688411
補助電極の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
今下 勝博
, 岡田 賢治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-340689
公開番号（公開出願番号）：特開2004-178839
出願日： 2002年11月25日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】本発明は、透明電極の上面に形成された補助電極の形成方法に関する。透明電極の平滑性が重要な有機ELディスプレイ素子において、有機EL層に欠陥を生じさせないよう、透明電極の平滑性を損なわないエッチングによって補助電極を形成することを目的とする。【解決手段】本発明は、透明電極の上面に形成された金属薄膜を有する試料を平行平板型プラズマエッチング装置のチャンバ内の試料台上に配置し、該チャンバ内にフッ素原子を含むガスを導入し、該試料台と該試料台に対面して設置された対向電極との間に高周波電圧を印加して前記金属薄膜をプラズマエッチングする補助電極の形成方法である。本発明により、有機ELディスプレイ素子等の製造工程を簡易にすることができる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
透明電極の上面に形成された金属薄膜を有する試料をチャンバ内の試料台上に配置し、該チャンバ内にフッ素原子を含むガスを導入し、該試料台と該試料台に対面して設置された対向電極との間に高周波電圧を印加して前記金属薄膜をプラズマエッチングする補助電極の形成方法。
IPC (4件)：
H05B33/10
, H05B33/14
, H05B33/26
, H05B33/28
H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/26 Z
, H05B33/28
3K007AB05
, 3K007AB18
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007CC00
, 3K007DB03
, 3K007FA00
