基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木下茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-179727
公開番号（公開出願番号）：特開2007-110080
出願日： 2006年06月29日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：

【課題】パターンの線幅(CD)とサイドウォールアングル(SWA)とを夫々、基板面内で均一に形成すること。【解決手段】レジスト液塗布処理後の基板を加熱処理する第一の加熱処理と、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理と、露光後にレジスト膜内の化学反応を促進させる第二の加熱処理と、露光されたレジスト膜を現像する現像処理と、現像処理後に形成されたレジストパターンをマスクとして酸化膜を除去するエッチング処理とを一連の処理として実行し、基板に所定のパターンを形成する基板処理装置1であって、エッチング処理後に形成されたパターンの状態を測定検査する検査装置400と、検査結果に基づいてエッチング処理後の基板のパターンの状態が基板面内で均一になるよう、第一の加熱処理及び/または第二の加熱処理での条件設定を行う制御部500とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下地膜が成膜された基板にレジスト液を塗布する塗布処理と、塗布処理後の基板を加熱処理する第一の加熱処理と、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理と、露光後にレジスト膜内の化学反応を促進させる第二の加熱処理と、露光されたレジスト膜を現像する現像処理と、現像処理後に形成されたレジストパターンをマスクとして下地膜を除去するエッチング処理とを一連の処理として実行し、前記基板に所定のパターンを形成する基板処理装置であって、前記エッチング処理後に、前記基板に形成されたパターンの状態を測定検査する検査装置と、前記検査装置により取得された検査結果に基づいて、前記エッチング処理後の前記基板のパターンの状態が基板面内で均一になるよう、前記第一の加熱処理及び/または前記第二の加熱処理での条件設定を行う制御部とを備えることを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , H01L 21/66

FI (3件)：

H01L21/30 566 , H01L21/30 502V , H01L21/66 J

Fターム (6件)：

4M106AA01 , 4M106DB04 , 4M106DJ20 , 4M106DJ21 , 4M106DJ38 , 5F046KA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

基板の加熱処理装置,基板の加熱処理方法,基板処理装置及び基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-261561 出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (5件)

パターン形成方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-023623 出願人：ソニー株式会社
レジストパターン形成装置及びその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-297278 出願人：東京エレクトロン株式会社
加熱処理装置の温度校正方法、現像処理装置の調整方法、及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-188496 出願人：株式会社東芝

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