特許
J-GLOBAL ID：200903074583793150
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-103304
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291823
出願日： 2000年04月05日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】製造工程を短縮化するとともに、装置の小型化を図ることのできる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】複数の第1、2、3リードを有する外部リードフレーム10a,10b,10cと、第1リードに一方の面の電極がそれぞれ直接接続されたパワー半導体素子12及び制御半導体素子13と、パワー半導体素子12の他面に形成された電極と第3リード10cの内の1つのリードとを直接接続する第1の内部リードフレーム11aと、制御半導体素子13の他面に形成された電極と第3リード10bの内の他の1つのリードとを直接接続する第2の内部リードフレーム11bとを有する。
請求項（抜粋）：
複数の第1、2及び第3リードを有する外部リードフレームと、前記複数の第1リードに、一方の面に形成された複数の電極がそれぞれ直接接続されたパワー半導体素子と、前記複数の第2リードに、一方の面に形成された複数の電極がそれぞれ直接接続された前記パワー半導体素子を制御する制御半導体素子と、前記パワー半導体素子の他面に形成された電極と前記複数の第3リードの内の1つのリードとを直接接続する第1の内部リードフレームと、前記制御半導体素子の他面に形成された電極と前記複数の第3リードの内の他の1つのリードとを直接接続する第2の内部リードフレームと、前記パワー半導体素子、前記制御半導体素子、前記内部リードフレーム及び前記外部リードフレームの前記リードをモールドする封止樹脂とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/28
H01L 23/28 B
, H01L 25/04 C
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA26
, 4M109DB15
, 4M109DB17
, 4M109EA02
, 4M109EB12
, 4M109EB13
, 4M109EC06
, 4M109GA05
