特許
J-GLOBAL ID：200903074596878791
単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
萼 経夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-098568
公開番号（公開出願番号）：特開平11-278985
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：
【要約】【課題】 種結晶基板上に単結晶を成長させる単結晶製造方法において、結晶欠陥の少ない単結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】 種結晶成長面において、成長初期には少なくとも一つ相対的な低温領域を設け、成長の中後期には、成長面内での温度分布を略均一にして(例えば、特定構造の種結晶載置部を有する単結晶成長用るつぼを用いる)単結晶を製造する方法である。本方法によると、成長初期に局所的に発生した成長核とらせん転位により導入されたステップのステップフローモードで単結晶の成長が行われるため、結晶欠陥の少ない単結晶を得ることができる。
請求項（抜粋）：
種結晶載置部に設置した種結晶基板上に単結晶を成長させることにより単結晶を製造する方法において、単結晶の成長初期には種結晶の成長表面に少なくとも一つ相対的な低温領域を設け、単結晶成長の中後期には成長表面の温度分布が略均一になる状態にて単結晶を成長させることを特徴とする単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 23/00
, C30B 29/36 A
