特許
J-GLOBAL ID：200903074631036111
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-131829
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283545
出願日： 2008年05月20日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：
【課題】半導体ウェハの割れや欠けを防ぎ、かつ複数の半導体ウェハに連続して処理を行う際に、各半導体ウェハの端面の形状を均一にすること。【解決手段】半導体ウェハ1の裏面側を下にして、ステージ5に吸着させて、半導体ウェハ1の中心を回転の中心軸として回転させる。また、端面研削用砥石10の中心を回転の中心軸として、この中心軸を半導体ウェハ1の回転の中心軸の方向と略垂直な方向にして、端面研削用砥石10を回転させる。ついで、半導体ウェハ1を横方向に移動させながら、端面研削用砥石10を縦方向に移動させることで、半導体ウェハ1の端面3に、端面研削用砥石10を接触させて、半導体ウェハ1の端面3を研削する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの中心を回転の中心軸として回転させるとともに、砥石の中心を回転の中心軸として、当該砥石の回転の中心軸の方向を前記半導体ウェハの回転の中心軸の方向と略直角の方向にして回転させる回転工程と、
回転させたままの前記半導体ウェハを、回転させたままの前記砥石に接触させて、当該半導体ウェハの端面に面取り加工を行う面取り加工工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (5件)：
H01L21/304 621E
, H01L21/304 631
, H01L21/304 622R
, H01L21/304 622S
, B24B9/00 601H
3C049AA03
, 3C049AA09
, 3C049AA11
, 3C049AA13
, 3C049AB03
, 3C049AC02
, 3C049BA02
, 3C049BA07
, 3C049BA13
, 3C049BB03
, 3C049BC02
, 3C049CA05
, 3C049CB01
, 3C049CB02
, 3C049CB04
