特許
J-GLOBAL ID：200903098930062583

ウェハの研削方法及び装置

発明者：
布谷 伸仁

布谷 伸仁 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-142921
公開番号（公開出願番号）：特開平11-333680
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 1999年12月07日
要約：
【要約】【課題】半導体ウェハの裏面研削工程を経た後、その研削部とウェハ周縁部の連続部分において適切な丸みができるウェハの研削方法及び装置を提供すること。【解決手段】ウェハ1は、主表面側を例えば真空吸着式チャック3で保持し、裏面側及び端面を露出させる。その後、ウェハ1は、ウェハ中心を軸として回転運動させ、平面研削用砥石4は、少なくともウェハ1の面に実質的に平行なまま移動する。ウェハ1が任意の要求厚、すなわちウェハ1が必要な厚さになるまで前記半導体ウェハの裏面全体を平面研削用砥石4により研削する。このウェハ1の裏面全体を研削する工程の実施前か後に、円筒状の端面研削用砥石5の凹部51をウェハ1に接触させ、上記要求厚に応じたウェハ1の端面に丸みを有するようにウェハ1の端面部を研削する。
請求項（抜粋）：
所定の機能を実現すべく回路素子が形成されている半導体ウェハの主表面を保護する工程と、前記半導体ウェハに関し、主表面側を支持し裏面及び端面を露出させる工程と、前記半導体ウェハが任意の要求厚になるまで前記半導体ウェハの裏面全体を研削する工程と、前記半導体ウェハの裏面全体を研削する工程の実施前か後に前記要求厚に応じた半導体ウェハの端面に丸みを有するように前記半導体ウェハの端面部を研削する工程と具備したことを特徴とするウェハの研削方法。
IPC (4件)：
B24B 9/00 601 ,  H01L 21/304 601 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 631
FI (4件)：
B24B 9/00 601 H ,  H01L 21/304 601 B ,  H01L 21/304 621 E ,  H01L 21/304 631
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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