特許
J-GLOBAL ID：200903074632113241
光電変換用酸化物半導体電極および色素増感型光電変換素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
皿田 秀夫
, 米田 潤三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-113944
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319873
出願日： 2003年04月18日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】素子内部の短絡を抑制でき、信頼性、光エネルギー変換効率に優れた光電変換用酸化物半導体電極、およびその電極を用いた色素増感型光電変換素子を提供する。【解決手段】透明導電層を有する基板と、この透明導電層の表面に形成された第1の金属酸化物半導体膜と、この第1の金属酸化物半導体膜の上に形成された第2の金属酸化物半導体膜と、この第2の金属酸化物半導体膜の表面に吸着された有機色素を有する光電変換用酸化物半導体電極であって、前記第1の金属酸化物半導体膜が、酸化対象となる金属薄膜を形成した後に、この金属薄膜を陽極酸化処理することにより形成されてなるように構成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透明導電層を有する基板と、
前記透明導電層の表面に形成された第1の金属酸化物半導体膜と、
前記第1の金属酸化物半導体膜の上に形成された第2の金属酸化物半導体膜と、
前記第2の金属酸化物半導体膜の表面に吸着された有機色素を有する光電変換用酸化物半導体電極であって、
前記第1の金属酸化物半導体膜が、酸化対象となる金属薄膜を形成した後に、当該金属薄膜を陽極酸化処理することにより形成されたものであることを特徴とする光電変換用酸化物半導体電極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/04 Z
, H01M14/00 P
5F051AA14
, 5F051BA18
, 5F051CB27
, 5F051FA01
, 5F051FA06
, 5F051GA02
, 5F051HA20
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032BB05
, 5H032BB07
, 5H032EE01
, 5H032EE02
, 5H032EE07
, 5H032EE16
審査官引用 (10件)
-
光電変換素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-087746
出願人：株式会社東芝
-
太陽電池
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-119799
出願人：ミノルタ株式会社
-
湿式太陽電池
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-329968
出願人：株式会社ニコン
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