特許
J-GLOBAL ID：200903074632576438
半導体の製造方法及び半導体の製造装置
出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社
富士ゼロックス株式会社 について
代理人 (1件)： 中島 淳 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-233982
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079348
出願日： 1996年09月04日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：
【要約】【課題】 高品質の混晶膜を作製する。【解決手段】 基板上に半導体膜を形成させるための反応器12と、基板を保持する基板ホルダー20と、基板を加熱するヒーター22と、N2 ガス等の原料ガスを供給する第1の原料活性化-供給部14のガス導入管26と、N2 ガス等の原料ガス又はH2 ガス等の補助材料を供給する第2の原料活性化-供給部16のガス導入管26と、ガス導入管26から供給されたガスをプラズマ状態にするマイクロ波導波管28と、トリメチルガリウムのような有機金属化合物のガスを供給する第1の原料活性化-供給部14のガス導入管30と、トリメチルインジウムのような、前記有機金属化合物とは異なる有機金属化合物を供給する第2の原料活性化-供給部16のガス導入管30と、を備える。
請求項（抜粋）：
V族元素を含むV族元素源をプラズマ状態にする第1のプラズマ発生工程と、前記V族元素源とは別個且つ同時に、III 族元素を含む有機金属化合物を活性化するための補助材料をプラズマ状態にする第2のプラズマ発生工程と、プラズマ状態の前記V族元素源に、気体状の前記有機金属化合物及びプラズマ状態の前記補助材料を添加する添加工程と、前記V族元素及び前記III 族元素を含む半導体化合物を基板上に形成させる膜形成工程と、を含む半導体の製造方法。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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窒化物半導体結晶の成長方法およびその装置
公報種別：公開公報 出願番号：特願平6-316315 出願人：日本電信電話株式会社 -
特開平2-308536
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半導体製造装置
公報種別：公開公報 出願番号：特願平3-022358 出願人：株式会社半導体プロセス研究所, アルキヤンテック株式会社, キヤノン販売株式会社
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