特許
J-GLOBAL ID：200903074642174699
電子デバイスの製造
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
千田 稔
, 辻永 和徳
, 橋本 幸治
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-527574
公開番号（公開出願番号）：特表2004-509468
出願日： 2001年09月08日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
電子デバイス、特に集積回路の製造方法が開示される。そのような方法は、除去可能なポロゲン材料を用いることによって調製される低誘電率材料の使用を含む。
請求項（抜粋）：
電子デバイスの製造方法であって、
a)1種類以上の誘電マトリックス材料および除去可能なポロゲンを含むBステージ誘電マトリックス組成物を基板表面上に配置する工程;
b)Bステージ誘電マトリックス組成物を硬化させて実質的にポロゲンを除去することなしに誘電マトリックス材料を形成する工程;
c)誘電マトリックス材料をパターニングする工程;
d)誘電材料の表面上に金属層を被着させる工程;および、次いで
e)誘電マトリックス材料を少なくともポロゲンを部分的に除去する条件に供して誘電材料を実質的に劣化させることなしに多孔性誘電材料層を形成する工程、
を含む方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F058AA10
, 5F058AC02
, 5F058AC03
, 5F058AC05
, 5F058AC10
, 5F058AG01
, 5F058AH02
, 5F058BC02
, 5F058BC03
, 5F058BC08
, 5F058BC09
, 5F058BC20
