特許
J-GLOBAL ID:200903074643959436
リソグラフィーマスクブランクの製造方法及びリソグラフィーマスク並びにハーフトーン型位相シフトマスクブランク
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
藤村 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-127449
公開番号(公開出願番号):特開2003-322955
出願日: 2002年04月26日
公開日(公表日): 2003年11月14日
要約:
【要約】【課題】 成膜時の放電安定性を向上することができ、成膜安定性及びパーティクルの発生を低減することができるリソグラフィーマスクブランクの製造方法等を提供する。【解決手段】 DCスパッタリング法を用いて、透明基板上に少なくともシリコンを含有する薄膜を成膜する工程を有するリソグラフィーマスクブランクの製造方法において、前記工程において、比抵抗が0.1Ω・cm以下のシリコンターゲットを用いたことを特徴とする。
請求項(抜粋):
DCスパッタリング法を用いて、透明基板上に少なくともシリコンを含有する薄膜を成膜する工程を有するリソグラフィーマスクブランクの製造方法において、前記工程において、比抵抗が0.1Ω・cm以下のシリコンターゲットを用いたことを特徴とするリソグラフィーマスクブランクの製造方法。
IPC (2件):
FI (4件):
G03F 1/08 L
, G03F 1/08 A
, G03F 1/08 G
, H01L 21/30 502 P
Fターム (5件):
2H095BB03
, 2H095BB25
, 2H095BB31
, 2H095BC05
, 2H095BC08
引用特許: