特許
J-GLOBAL ID：200903025573044086

ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク

発明者：
雨宮 勲

雨宮 勲 について

, 
安中 憲道

安中 憲道 について


出願人/特許権者：
ホーヤ株式会社

ホーヤ株式会社 について


代理人 (1件)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216477
公開番号（公開出願番号）：特開平7-064271
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 単純な膜構成により電子線描画時の電荷蓄積や静電気による帯電を防止できるハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。【構成】 透明基板上に、光透過部を形成するための単一層状の光半透過膜を有し、この光半透過膜を、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過する性質と露光光の位相を所定量シフトさせる性質とを有すると同時に、電子線描画の際に電荷が帯電しない程度以上の導電性をも兼ね備えたものとした。
請求項（抜粋）：
微細パターン露光を施すためのマスクであって、透明基板の表面上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過した光の位相と前記光透過部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記光透過部と光半透過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消し合うようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクの製造の際に素材として用いるハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、透明基板上に前記光透過部を形成するための単一層状の光半透過膜を有し、この光半透過膜が、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過する性質と露光光の位相を所定量シフトさせる性質とを有すると同時に、電子線描画の際に電荷が帯電しない程度以上の導電性をも兼ね備えたものであることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
引用特許：
審査官引用 (4件)
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