特許

J-GLOBAL ID：200903074675678781

微細パターンの作製方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 森岡 博
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-312941
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152784
出願日： 2002年10月28日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】レジストパターンを縮小化させる際のパターンの変形や倒壊を防止することが可能な微細パターンの作製方法を提供する。【解決手段】基板上に、感光性レジスト材料を塗布し、露光及び現像を行って、レジストパターンを形成する。He、Ne、Ar、Xe、Kr、CO、CO2、及びN2からなる群より選択された少なくとも1つの第1のガスとSO2ガスとを含む混合ガスのプラズマにより、レジストパターンの側面及び上面の表層部をエッチングする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

(a)基板上に、感光性レジスト材料を塗布し、露光及び現像を行って、レジストパターンを形成する工程と、 (b)He、Ne、Ar、Xe、Kr、CO、CO2、及びN2からなる群より選択された少なくとも1つの第1のガスとSO2ガスとを含む混合ガスのプラズマにより、前記レジストパターンの側面及び上面の表層部をエッチングする工程と を有する微細パターンの作製方法。

IPC (3件)：

H01L21/027 ,  G03F7/40 ,  H01L21/3065

FI (4件)：

H01L21/30 574 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/30 570

Fターム (17件)：

2H096AA25 ,  2H096HA24 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB23 ,  5F004DB26 ,  5F004EA03 ,  5F004EA22 ,  5F046LA18 ,  5F046PA07 ,  5F046PA17

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-127514   出願人：日本電気株式会社
• 試料のエッチング処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-276613   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立インダストリイズ

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-127514   出願人：日本電気株式会社
• 試料のエッチング処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-276613   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立インダストリイズ
• 微細パターン形成方法およびその方法により製造した装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-188160   出願人：三菱電機株式会社