特許
J-GLOBAL ID：200903074683089604
半導体処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-258241
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085404
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】誘導プラズマにおいて、コイル状アンテナの給電部では、実効的な周方向の巻線が短くなっていることにより、生成されるプラズマが弱くなり、プラズマ分布が偏ってしまう。【解決手段】高周波電源10から出た高周波電流は、マッチングボックス3を通り、アンテナ1を流れてアースに流れる。1ターンのコイル状のアンテナは、2本の周方向に巻かれた巻線によって構成され、給電部において周方向に巻かれた巻線が2重になるようにすることで、給電部でのプラズマの生成を補い、軸対称性に優れるプラズマ生成を可能とする。
請求項（抜粋）：
プラズマ生成部に電界を発生するコイル状のアンテナと、高周波電力を供給するための高周波電源と、前記アンテナのインピーダンスを高周波電源の出力インピーダンスとマッチングをとるためのマッチングボックスと、真空雰囲気を提供するためにプラズマ生成部を取り囲む非導電性材料でできたチャンバと、該チャンバ内に中性ガスを供給するガス供給装置と、前記チャンバ内のガスを排気する排気装置と、処理される半導体基板を置くための電極と、該電極に高周波電界を印加するための高周波電源を備え、前記アンテナが発生する電界により電子を加速して中性ガスを衝突電離することによりプラズマを発生させ半導体を処理する半導体処理装置において、前記アンテナの各ターンが2本の周方向に巻かれた巻線によって構成され、その巻線の周方向の長さの合計が一周よりも長く、その2重となる部分がアンテナ給電部付近となることを特徴とする半導体処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/205
, H05H 1/46
H01L 21/302 B
, H01L 21/205
, H05H 1/46 L
5F004AA01
, 5F004BA20
, 5F004BB11
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004BC08
, 5F045AA08
, 5F045BB02
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EH02
, 5F045EH11
