特許

J-GLOBAL ID：200903074686119792

半導体集積回路

発明者： 中村 寛 ,  今宮 賢一 ,  山村 俊雄 ,  細野 浩司 ,  河合 鉱一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-247810
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353275
出願日： 2005年08月29日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】NANDセル型EEPROMにおいて、データ書込み動作中に並行して書き込みデータの入力動作を可能とし、書き込みシーケンス全体の所要時間を短縮する。【解決手段】動作終了後にその動作のパス/フェイル結果が半導体チップ内に保持される第1の動作及び第2の動作を備え、第1の動作と第2の動作を連続して行った際に、第1及び第2の動作終了後に第1の動作のパス/フェイル結果と第2の動作のパス/フェイル結果の両方を出力する動作を有する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

第1の動作と第2の動作が並列に実行可能であり、 前記第1の動作が実行中か否かを表わす第1の情報及び前記第2の動作が実行可能か否かを表わす第2の情報の両方を外部に出力することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

G11C16/02 ,  G11C16/04 ,  G11C16/06

FI (5件)：

G11C17/00 611G ,  G11C17/00 613 ,  G11C17/00 634G ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 601T

Fターム (19件)：

5B125BA02 ,  5B125CA01 ,  5B125DA04 ,  5B125DB02 ,  5B125DB03 ,  5B125EA01 ,  5B125EA02 ,  5B125EA03 ,  5B125EA05 ,  5B125EB01 ,  5B125EE04 ,  5B125EE07 ,  5B125EE18 ,  5B125EE19 ,  5B125EK06 ,  5B125EK07 ,  5B125EK10 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-323199   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-323199   出願人：株式会社東芝
• フラッシュメモリのライトステートマシンのハードウェアリセット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-244490   出願人：シャープ株式会社