特許
J-GLOBAL ID:200903074727679501

気相成長装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-297504
公開番号(公開出願番号):特開2006-114547
出願日: 2004年10月12日
公開日(公表日): 2006年04月27日
要約:
【課題】自転サセプタに一体に設けられる小歯車の位置を変更することにより、一回の工程で生産される、表面に半導体結晶の薄膜が成長された半導体ウエハの数を増やす。【解決手段】原料ガス導入口、半導体ウエハを加熱するヒータ及びガス排出口を有すると共に、各々半導体ウエハを保持する複数個の自転サセプタ及びこれら自転サセプタを夫々ベアリングを介して回転自在に設置した円板状の公転サセプタを有し、前記複数個の自転サセプタを前記円板状の公転サセプタの周辺部にリング状に並べて配置すると共に、前記複数個の自転サセプタの外周部に夫々形成された小歯車をこれら小歯車の外側に位置する共通の内歯車と噛み合わせてなる気相成長装置において、前記小歯車を前記ベアリングの上部に位置するように前記自転サセプタに一体に形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
原料ガス導入口、半導体ウエハを加熱するヒータ及びガス排出口を有すると共に、各々半導体ウエハを保持する複数個の自転サセプタ及びこれら自転サセプタを夫々ベアリングを介して回転自在に設置した円板状の公転サセプタを有し、前記複数個の自転サセプタを前記円板状の公転サセプタの周辺部に環状に並べて配置すると共に、前記複数個の自転サセプタの外周部に夫々形成された小歯車をこれら小歯車の外側に位置する共通の内歯車と噛み合わせてなる気相成長装置において、前記小歯車を前記ベアリングの上部に位置するように前記自転サセプタに一体に形成してなることを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件):
H01L 21/205 ,  C23C 16/458
FI (2件):
H01L21/205 ,  C23C16/458
Fターム (15件):
4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030GA08 ,  4K030KA45 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045BB08 ,  5F045DP15 ,  5F045DP28 ,  5F045EB02 ,  5F045EC01 ,  5F045EM02 ,  5F045EM10
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 気相成長装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-027503   出願人:富士通株式会社
審査官引用 (4件)
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