炭化けい素縦形FETおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028388
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228528
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】オン抵抗の小さい炭化けい素縦型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】p+ 埋め込み領域42の上方のpゲート領域44をセル状とし、n+ ソース領域43をそれを囲むように配置してチャネル部分の面積を増大させる。逆にn+ ソース領域をセル状とし、それを囲むようにpゲート領域を配置してもよい。その製造方法としては、多結晶シリコン膜からなる第一のマスクによりp+ 埋め込み領域42を規定し、第一のマスクを熱酸化した第二のマスクによりn+ ソース領域43を規定して、微細なチャネル長の制御をおこなう。

請求項（抜粋）：

第一導電型炭化けい素ドレイン層上に積層された炭化けい素からなる第一導電型ドリフト層と、その第一導電型ドリフト層の表面層に選択的に互いに隔離して形成された第二導電型ゲート領域、第一導電型ソース領域と、その第二導電型ゲート領域および第一導電型ソース領域の下方に選択的に埋め込まれて形成された第二導電型埋め込み領域と、第二導電型ゲート領域の表面に接触して設けられたゲート電極と、第一導電型ソース領域に接触して設けられたソース電極と、第一導電型ドレイン層の裏面に設けられたドレイン電極とを有する炭化けい素縦形FETにおいて、第二導電型ゲート領域の平面的な形状をセル状とし、その第二導電型ゲート領域を囲むように第一導電型ソース領域を形成することを特徴とする炭化けい素縦形FET。

Fターム (12件)：

5F102FA03 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GJ00 , 5F102GJ02 , 5F102GL01 , 5F102GL02 , 5F102GM01 , 5F102GT02 , 5F102GT03

引用特許：

審査官引用 (4件)

炭化けい素縦型FET
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-183721 出願人：富士電機株式会社
特開昭59-041871
特開昭59-065486

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