特許
J-GLOBAL ID：200903074778062665
NAND型不揮発性メモリ素子、その製造方法及び駆動方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-073967
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041487
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 NAND型不揮発性メモリ素子、その製造方法及び駆動方法を提供する。【解決手段】 同一方向に配列されたストリングブロックが二次元的に配列され構成される不揮発性メモリ素子において、各ストリング選択トランジスタのゲートを連結するストリング選択ラインと、各ストリングを構成するセルトランジスタのコントロールゲートをそれぞれ水平単位で連結する複数本のワードラインと、各ストリングのソース選択トランジスタのゲートを連結するソース選択ラインと、セルトランジスタのソース/ドレイン上部、フローティングゲートの側壁及びコントロールゲートの上部及び側壁に、所定の厚さを有する第1絶縁膜により離隔され、多数のワードライン単位で独立したブロックを形成するプログラム補助プレートとを具備することにより、プログラム/ 消去電圧を著しく下げることができ、工程が単純になりフォトエッチング工程が容易になる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたトンネル酸化膜と、前記トンネル酸化膜上に形成されたフローティングゲートと、前記フローティングゲート上に形成されたコントロールゲートと、前記フローティングゲートとコントロールゲートとの間に形成された層間絶縁膜と、前記トンネル酸化膜の下の前記半導体基板に形成され、チャンネル領域により分離されたソース/ドレインと、前記コントロールゲート、フローティングゲート及びソース/ドレインを覆う所定の厚さを有する第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成されたプログラム補助プレートとを具備することを特徴とする不揮発性メモリ素子。
IPC (4件)：
H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
