特許
J-GLOBAL ID：200903074816930013

スパッタリングターゲット及びそれを利用した導電膜の製造方法及びその製造方法で成膜した透明導電膜

発明者：
井上 一吉

井上 一吉 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 伊藤 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-180897
公開番号（公開出願番号）：特開2004-030934
出願日： 2002年06月21日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】スパッタリングターゲット表面にノジュールが発生せず、スパッタリング成膜によって得られた非晶質導電膜の抵抗値を小さくできるようなスパッタリングターゲットを用いて低抵抗の非晶質導電膜を提供することである。【解決手段】金属のターゲット12を、金属酸化物のターゲット10上に配置し、単一のスパッタリングターゲット14を構成させる。このスパッタリングターゲット14を用いて、スパッタリング法によって非晶質透明導電膜を成膜する。その結果、金属の酸素引き抜き効果によって、キャリヤーを増やすことができ、非晶質導電膜の低抵抗化を図ることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
金属酸化物の部位と、金属の部位からなるスパッタリングターゲット。
IPC (6件)：
H01B13/00 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/28
FI (6件)：
H01B13/00 503B ,  C23C14/34 A ,  H01B5/14 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/28
Fターム (17件)：
3K007AB05 ,  3K007AB18 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029BA45 ,  4K029BB10 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC15 ,  4K029EA03 ,  4K029GA01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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