特許
J-GLOBAL ID：200903072194705715

透明導電積層体

発明者：
原 寛

原 寛 について

, 
田村 優次

田村 優次 について


出願人/特許権者：
帝人株式会社

帝人株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 純博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-305261
公開番号（公開出願番号）：特開2001-121641
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年05月08日
要約：
【要約】【課題】 高分子基板上に、成膜直後から抵抗値が低減された透明導電膜を形成し、さらにかかる膜に熱等の刺激を与えることでより抵抗値を低減できる透明導電積層体並びにその製造方法を提供することにある。【解決手段】 高分子基板上にインジウム(In)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)及び酸素原子(O)を主成分とする透明導電膜が形成されてなる透明導電積層体であって、InとSnの合計原子濃度に対するSn原子濃度が0.01〜0.1の範囲であり、InとZnの合計原子濃度に対するZnの原子濃度が0.01〜0.1の範囲であり、かつSnとZnの原子濃度の合計に対するZnの原子濃度の比が0より大きく0.3未満の範囲であることを特徴とする透明導電積層体。
請求項（抜粋）：
高分子基板上にインジウム(In)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)及び酸素原子(O)を主成分とする透明導電膜が形成されてなる透明導電積層体であって、InとSnの合計原子濃度に対するSn原子濃度が0.01〜0.1の範囲であり、InとZnの合計原子濃度に対するZnの原子濃度が0.01〜0.1の範囲であり、かつSnとZnの原子濃度の合計に対するZnの原子濃度の比が0より大きく0.30未満の範囲であることを特徴とする透明導電積層体。
IPC (3件)：
B32B 7/02 103 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503
FI (3件)：
B32B 7/02 103 ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B
Fターム (23件)：
4F100AA40B ,  4F100AB18B ,  4F100AB21B ,  4F100AB40B ,  4F100AK01A ,  4F100AK45 ,  4F100AR00B ,  4F100BA02 ,  4F100GB90 ,  4F100JA20A ,  4F100JA20B ,  4F100JG01B ,  4F100JG04B ,  4F100JM02B ,  4F100JN01B ,  4F100YY00B ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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