特許
J-GLOBAL ID：200903074831928548
異物検査方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-082825
公開番号（公開出願番号）：特開平11-258175
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 1.5μm以下の極めて薄い薄膜上の微小異物を検出することが可能な異物検査方法を提供する。【解決手段】 薄膜9の表面9aに波長が488nmより短いP偏光レーザー15をθ±3°(θはブリュースター角)の角度で入射し、前記薄膜9の表面9a上に存在する異物2からの散乱光16を受光してS偏光成分のみを抽出し、該S偏光成分を電気信号に変換して分析することにより異物の有無を検査する。特に、絶縁性基板10上に薄膜9が形成されたSOI基板1の表面に存在する異物2を検査するのに適する。
請求項（抜粋）：
薄膜の表面に波長が488nmより短いP偏光レーザーをθ±3°(θはブリュースター角)の角度で入射し、前記薄膜の表面上に存在する異物からの散乱光を受光してS偏光成分のみを抽出し、該S偏光成分を電気信号に変換して分析することにより異物の有無を検査することを特徴とする異物検査方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 21/88 E
, H01L 21/66 J
