特許

J-GLOBAL ID：200903074844123840

半導体薄膜構造とその作製法

発明者： 宮澤 誠一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264706
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093837
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】元の基板とその上に形成する半導体材料の格子定数が異なっていても欠陥の少ない良質の半導体材料を形成でき基板に制限されない半導体薄膜構造の作製法、そうした半導体薄膜構造である。【解決手段】基準面を持つ基板上に、基板の格子定数とは異なる所望の格子定数の半導体膜104を最上膜として含む半導体層が形成される。この構造は加工されて、基板の基準面と基準面から傾いた面を少なくとも1つ以上有する構造にされる。傾いた面から選択的に成長が発生して所望の格子定数の半導体膜104とほぼ格子整合した半導体結晶膜7が形成される。半導体結晶膜7は、基準面にほぼ平行に横に広がることにより平坦な表面を少なくとも部分的に有する。

請求項（抜粋）：

基板上に該基板の格子定数とは異なる所望の格子定数の半導体膜を最上膜として含む半導体層が形成された構造が加工されて、該基板の基準面と該基準面から傾いた面を少なくとも1つ以上有する構造にされた基板構造を有し、該傾いた面から選択的に成長が発生して該所望の格子定数の半導体膜とほぼ格子整合した半導体結晶膜が形成され、該選択的に成長した半導体結晶膜が、基準面にほぼ平行に横に広がることにより形成された平坦な表面を少なくとも部分的に有することを特徴とする半導体薄膜構造。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 M

Fターム (25件)：

5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF14 ,  5F045BB12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DB02 ,  5F045HA12 ,  5F052KA02 ,  5F103AA04 ,  5F103AA05 ,  5F103DD01 ,  5F103GG06 ,  5F103HH03 ,  5F103HH07 ,  5F103PP06 ,  5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体素子およびその製造方法ならびに半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-293036   出願人：ソニー株式会社
• 半導体結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-223418   出願人：光技術研究開発株式会社
• 特開平3-225986