特許

J-GLOBAL ID：200903074848293007

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  大沼 英人 ,  高野 圭恵 ,  大谷 久
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-123283
公開番号（公開出願番号）：特開平10-301146
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の作製工程の簡略化を実現するための技術を提供する。【解決手段】 珪素を含む非晶質膜102上に開口部104、105を有した絶縁膜103を形成する。次に開口部から触媒元素を導入して結晶化を行う。結晶化後、絶縁膜103に開口部111を形成し、Pイオンを添加する。この工程により触媒元素をゲッタリングさせるための領域112、113と後に補助容量の下部電極として機能する領域114とを同時に形成することができる。

請求項（抜粋）：

画素マトリクス回路を構成する複数の画素領域のそれぞれに少なくとも一つの半導体素子及び補助容量を有する半導体装置であって、前記補助容量を構成する一対の電極の少なくとも一方は、15族から選ばれた元素により導電性を与えられた珪素を含む半導体膜で構成され、前記珪素を含む半導体膜には珪素の結晶化を助長する触媒元素が存在することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-097478   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-132973   出願人：シャープ株式会社, 株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平3-280018
  
• 半導体回路およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-067982   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所