特許
J-GLOBAL ID：200903074887939860

半導体装置の製造方法

発明者：
江川 良実

江川 良実 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-098384
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273782
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】半導体装置の製造歩留まりを向上させる。【解決手段】支持基板300に搭載された複数の半導体チップ20を含む2組の支持基板積層体310の第2バンプ44aを、互いに対向させて電気的に接続した支持基板積層体複合体320から一方の支持基板を剥離除去することにより露出させた第1バンプ42aに、別の支持基板積層体を接合して搭載する工程を、1回又は2回以上の任意の回数繰り返すことにより、所望の段数の半導体チップがその厚み方向に積層された半導体装置を製造する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
(a)第1主表面及び当該第1主表面と対向する第2主表面を有する半導体ウエハであって、前記第1主表面にマトリクス状に設定されている複数のチップ領域を有しており、前記第1主表面に開口する前駆スルーホール、当該前駆スルーホールを埋め込んで第1頂面が前記第1主表面に露出する埋込み電極、当該チップ領域内である前記第1主表面上に設けられていて、前記埋込み電極の第1頂面に電気的に接続されている第1配線層を有している複数の前記半導体ウエハを準備する工程と、 (b)表面及び当該表面に対向する裏面を有する複数の支持基板の前記表面に、複数の前記半導体ウエハの前記第1主表面を、それぞれ接着材により接着して搭載して、複数の前駆支持基板積層体を形成する工程と、 (c)前記前駆支持基板積層体の第2主表面側を研削して前記埋込み電極の第2の頂面を露出させる工程と、 (d)前記第2主面上に、前記埋込み電極の第2の頂面に電気的に接続して設けられている第2配線層を形成する工程と、 (e)複数の前記チップ領域の境界線に沿って、前記半導体ウエハを切断し、かつ前記支持基板を非切断として研削して複数の半導体チップを含む複数の支持基板積層体を形成する工程と、 (f)2つの前記支持基板積層体の前記第2配線層同士を電気的に接続して積層し、支持基板積層体複合体を形成する工程と、 (g)前記支持基板積層体複合体の2つの前記支持基板のうち、いずれか一方の前記支持基板を剥離除去して前記第1配線層を露出させる工程と、 (h)前記支持基板積層体複合体の露出した前記第1配線層に、別の前記支持基板積層体の第2配線層を電気的に接続して搭載する工程と、 (i)前記支持基板積層体複合体の2つの前記支持基板のうち、いずれか一方の前記支持基板を剥離除去して前記第1配線層を露出させる工程と、 (j)表面及び当該表面と対向する裏面を有する前駆搭載基板であって、前記表面に開口する前駆搭載基板スルーホール、当該前駆搭載基板スルーホールを埋め込んで第1頂面が前記表面に露出する搭載基板埋込み電極を有している複数の前記前駆搭載基板を準備する工程と、 (k)前記支持基板積層体複合体の露出した前記第1配線層に、前記前駆搭載基板の前記搭載基板埋込み電極の前記第1頂面を電気的に接続して搭載する工程と、 (l)前記支持基板積層体複合体の支持基板を剥離除去する工程と、 (m)露出している前記第1配線層を露出させ、かつ複数の前記半導体チップ同士の間隙に、及び前記搭載基板の端縁側から樹脂を注入して第1封止部を形成する工程と、 (n)露出している前記第1配線層及び前記第1封止部を封止する第2封止部を形成する工程と、 (o)前記前駆搭載基板の裏面側を研削して前記搭載基板埋込み電極の第2頂面を露出させて搭載基板を形成する工程と、 (p)露出した前記搭載基板埋込み電極の前記第2頂面上に、外部端子を形成する工程と (q)前記第1封止部、前記第2封止部及び前記搭載基板を、前記複数のチップ領域の境界線に沿って、研削して個片化する工程と を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (1件)：
H01L25/08 Z
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)
  • 特開平1-140753
  • 3次元集積回路の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-244734   出願人：フラウンホッファー-ゲゼルシャフトツァフェルダールングデァアンゲヴァンテンフォアシュンクエー.ファオ.

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