特許
J-GLOBAL ID：200903074905708995

気相成長用サセプター及びその製造方法

発明者：
平野 博之

平野 博之 について


出願人/特許権者：
東洋炭素株式会社

東洋炭素株式会社 について


代理人 (2件)： 梶 良之 ,  須原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-016270
公開番号（公開出願番号）：特開2008-174841
出願日： 2008年01月28日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：
【課題】Siウェハの抵抗異常やノンドープ不良を回避できる気相成長用サセプター及びその製造方法を提供する。【解決手段】気相成長用サセプター1は、黒鉛基材の表面にCVD法により炭化ケイ素膜2,3が少なくとも2層以上被覆されており、前記炭化ケイ素膜3の最表層膜3aが、純化処理されており、前記純化処理されている表面の不純物量が、すべての元素において1×1011atoms/cm2以下である。また、気相成長用サセプター1の製造方法は、座ぐり凹部が形成された黒鉛基材の表面1aに、CVD法により炭化ケイ素膜を複数回被覆する炭化ケイ素膜被覆工程と、炭化ケイ素膜被覆工程において被覆された最表層の前記炭化ケイ素膜を、純化処理する最表層炭化ケイ素膜純化処理工程とを有し、炭化ケイ素膜被覆工程と、最表層炭化ケイ素膜純化処理工程とが同一炉内で行われる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
黒鉛基材の表面にCVD法により炭化ケイ素膜が被覆された気相成長用サセプターにおいて、 前記炭化ケイ素膜が少なくとも2層以上被覆されており、 前記炭化ケイ素膜の最表層膜が、純化処理されており、 前記純化処理されている表面の不純物量が、すべての元素において1.0×1011atoms/cm2 以下であることを特徴とする気相成長用サセプター。
IPC (4件)：
C23C 16/458 ,  C23C 16/42 ,  C30B 25/12 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C23C16/458 ,  C23C16/42 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205
Fターム (20件)：
4G077AA03 ,  4G077DB01 ,  4G077EG04 ,  4G077TA12 ,  4G077TF03 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA37 ,  4K030BB13 ,  4K030CA01 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030KA47 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045EM09
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM