半導体洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-209144
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040683
出願日： 1998年07月24日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】ウェット処理装置の液槽内に持ち込まれたメタルや有機物等の不純物を除去し、液槽内を清浄に保つことができる半導体洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法の提供。【解決手段】洗浄処理用チャンバ(図1の11)内に設置された処理槽(図1の7)と、処理槽に純水を供給するライン(図1の1a)と、処理槽に薬液を供給するライン(図1の3)と、処理槽にオゾンを含む洗浄液を供給するライン(図1の2)と、ウェハを支持するウェハ支持部(図1の8)と処理槽にウェハを搬送するウェハ搬送部(図1の9)とを有する搬送手段と、を少なくとも備えた半導体洗浄装置を用いた半導体装置の洗浄方法であって、ウェハの処理を行った後、次のウェハを処理する前に、処理槽に槽の下部からオゾンを含む洗浄液を注入し、槽の上部からオーバーフローさせて、処理槽及びウェハ支持部を洗浄する。

請求項（抜粋）：

洗浄処理用のチャンバと、前記チャンバ内に設置された処理槽と、前記処理槽に純水と薬液とを供給する手段と、ウェハを支持するウェハ支持部と前記処理槽に前記ウェハを搬送するウェハ搬送部とを有する搬送手段と、前記処理槽の上部に載置され、前記処理槽から前記ウェハを引き上げる際に前記ウェハを乾燥させる手段と、前記チャンバに接続され、前記処理槽から排出される廃液を排出する手段と、を少なくとも有する半導体洗浄装置において、前記処理槽に、前記処理槽の下部からオゾンを含む洗浄液を供給し、前記処理槽の上部から前記洗浄液をオーバーフローさせる手段を備えた、ことを特徴とする半導体洗浄装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 642 , H01L 21/304 648 , H01L 21/304 651 , B08B 3/08 , H01L 21/306

FI (6件)：

H01L 21/304 642 A , H01L 21/304 648 A , H01L 21/304 651 H , B08B 3/08 Z , H01L 21/306 J , H01L 21/306 B

Fターム (24件)：

3B201AA03 , 3B201AA47 , 3B201AB08 , 3B201AB44 , 3B201BB04 , 3B201BB92 , 3B201BB93 , 3B201BB94 , 3B201CB12 , 3B201CC01 , 3B201CC12 , 3B201CD11 , 3B201CD24 , 5F043BB27 , 5F043BB30 , 5F043DD05 , 5F043DD12 , 5F043DD30 , 5F043EE16 , 5F043EE27 , 5F043EE35 , 5F043EE36 , 5F043EE40 , 5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (5件)

基板の表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-294765 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-164967 出願人：株式会社東芝
特開平4-080924

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