特許

J-GLOBAL ID：200903074959281555

半導体デバイスの高周波特性測定方法及び装置

発明者： 平川 一彦 ,  近藤 孝志
出願人/特許権者： 国立大学法人 東京大学
代理人 (1件)： 稲葉 滋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-189098
公開番号（公開出願番号）：特開2007-010384
出願日： 2005年06月29日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】従来のネットワークアナライザー等による測定に比べて、測定帯域を数十THzにまで拡大する。【解決手段】一つあるいは複数の3端子半導体素子を含む半導体デバイスの高周波特性測定法である。光パルスを用いて、3端子半導体素子の選択された電極間を導通させることで、3端子半導体素子の入力端子に入力信号を生成させ、入力信号に応答する半導体デバイス内の電流変化により、半導体デバイスから空間に放射される電磁波の波形を時間領域で検出し、検出された時間波形情報を処理して該半導体デバイスの高周波特性を測定する。好ましい態様では、光パルスを、半導体デバイスの半導体基板における選択された部位に直接照射することで、3端子半導体素子の入力端子に入力信号を生成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一つあるいは複数の3端子半導体素子を含む半導体デバイスの高周波特性測定法であって、 光パルスを用いて、3端子半導体素子の選択された電極間を導通させることで、3端子半導体素子の入力端子に入力信号を生成させ、 入力信号に応答する半導体デバイス内の電流変化により、半導体デバイスから空間に放射される電磁波の波形を時間領域で検出し、検出された時間波形情報を処理して該半導体デバイスの高周波特性を測定する、 半導体デバイスの高周波特性測定法。

IPC (1件)：

G01R 31/26

FI (2件)：

G01R31/26 B ,  G01R31/26 J

Fターム (5件)：

2G003AA02 ,  2G003AB10 ,  2G003AE03 ,  2G003AG00 ,  2G003AH05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電子素子の高周波特性測定装置及び測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-012217   出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (2件)

• 集積回路の動的診断テスティング装置および方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-566568   出願人：オプトニクス・インコーポレーテッド
• 電子素子の高周波特性測定装置及び測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-012217   出願人：日本電信電話株式会社