特許
J-GLOBAL ID：200903074995364718
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-251612
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097832
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：
【要約】【課題】耐圧、素子分離性能を確保しつつ放熱性に優れたSOI構造の半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン基板1上に、厚さ2μmの埋め込みシリコン酸化膜2が形成され、その上にN型シリコン層3が形成されている。シリコン層3には溝4が形成され、溝4内にはシリコン酸化膜5が形成されるとともに、その内側には多結晶シリコン6が充填されている。島状シリコン領域7内にNチャンネル高耐圧LDMOSトランジスタTr1が形成されている。Pウェル領域9の下方における埋め込みシリコン酸化膜2は0.1μmと薄くなっている。薄肉領域15の下部には多結晶シリコン16が配置され、シリコン基板1と島状シリコン領域7との間の間隔が均一化している。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜により囲まれた島状シリコン領域が形成されるとともに、当該島状シリコン領域に半導体素子が形成された半導体装置において、前記絶縁膜での耐圧が低くてよい領域を薄くしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/762
, H01L 27/12
, H01L 29/78
, H01L 29/786
H01L 21/76 D
, H01L 27/12 F
, H01L 29/78 301 X
, H01L 29/78 621
