特許
J-GLOBAL ID：200903075006889730

電界効果型トランジスタの製造方法

発明者：
荒尾 達也

荒尾 達也 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-304067
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203924
出願日： 2002年10月18日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタ等の電界効果型トランジスタにおいて、パターニング工程の回数、およびフォトマスクの枚数を削減し、スループットおよび歩留まりを向上させることを課題とする。【解決手段】結晶性半導体の表面をオゾン水または過酸化水素水で処理することによって形成される酸化膜をエッチングストッパーとし、電界効果型トランジスタのゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を1枚のフォトマスクを用いて、1回のパターニングのみで、同一の出発膜から同時に形成する。ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を形成後、800°C以上で所定の時間加熱することで、ソース電極およびドレイン電極と結晶性半導体との接触抵抗を小さくし、電気的接続を向上させる。
請求項（抜粋）：
結晶性半導体上に第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜をパターニングして前記結晶性半導体の一部上にゲート絶縁膜を形成し、酸化剤の水溶液を用いて前記結晶性半導体の表面を酸化させて酸化膜を形成し、前記酸化膜上および前記ゲート絶縁膜上にN型不純物を含む半導体層を有する導電膜を形成し、前記導電膜をパターニングしてゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を同時に形成し、前記ゲート電極、前記ソース電極、および前記ドレイン電極をマスクにして前記結晶性半導体にN型不純物を導入し、前記結晶性半導体、前記酸化膜、前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極、前記ソース電極、および前記ドレイン電極を不活性気体中800°C〜1050°Cで30分〜4時間加熱することを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/786
FI (7件)：
G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 29/78 627 F ,  H01L 29/50 M ,  H01L 29/78 616 A
Fターム (139件)：
2H092JA25 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA10 ,  2H092MA07 ,  2H092MA14 ,  2H092MA20 ,  2H092MA23 ,  2H092MA29 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD63 ,  4M104DD72 ,  4M104DD79 ,  4M104DD91 ,  4M104DD94 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104FF18 ,  4M104GG08 ,  4M104HH05 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA04 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB05 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ21 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK21 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42 ,  5F110HL07 ,  5F110HM02 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN42 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN54 ,  5F110NN55 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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