特許
J-GLOBAL ID:200903075011169070
狭小な直径分布のカーボン単層ナノチューブの合成
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
磯野 道造
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-532376
公開番号(公開出願番号):特表2008-512343
出願日: 2005年09月09日
公開日(公表日): 2008年04月24日
要約:
単層カーボンナノチューブを合成するための方法及びプロセスが提供される。炭素前駆体ガスが、担体材料上に堆積した金属触媒と接触する。金属触媒は、約50nm未満の直径を有するナノ粒子であることが好ましい。反応温度は、金属触媒粒子と炭素との混合物の共融点近くとなるように選択される。
請求項(抜粋):
単層カーボンナノチューブ(SWNT)を生成するための化学気相成長方法であって、
触媒の共融点近くの温度で炭素前駆体ガスを担体上の触媒と接触させることにより、狭い直径分布を有するSWNTが形成される
ことを特徴とする方法。
IPC (3件):
C01B 31/02
, B01J 23/745
, B01J 35/02
FI (3件):
C01B31/02 101F
, B01J23/74 301M
, B01J35/02 H
Fターム (40件):
4G146AA12
, 4G146AB06
, 4G146AC03A
, 4G146AC03B
, 4G146AC16B
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BB22
, 4G146BC09
, 4G146BC23
, 4G146BC25
, 4G146BC31A
, 4G146BC33B
, 4G146BC41
, 4G146BC42
, 4G146BC43
, 4G146BC44
, 4G146BC46
, 4G146BC48
, 4G169AA03
, 4G169AA08
, 4G169AA11
, 4G169BA01A
, 4G169BA01B
, 4G169BA02A
, 4G169BA06A
, 4G169BA07A
, 4G169BB02A
, 4G169BC59A
, 4G169BC66A
, 4G169BC66B
, 4G169CB81
, 4G169DA05
, 4G169EA01X
, 4G169EA01Y
, 4G169EB18X
, 4G169FA02
, 4G169FB06
, 4G169FB31
, 4G169FC08
引用特許:
引用文献: