特許
J-GLOBAL ID：200903042507744117
カーボンナノチューブの形成方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-182468
公開番号（公開出願番号）：特開2004-026532
出願日： 2002年06月24日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】カーボンナノチューブを成長させる際に触媒として働く金属微粒子を簡単なプロセスで安価に且つ安定的に得ることが可能なカーボンナノチューブ膜形成方法を提供すること【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ形成方法は、カーボンナノチューブ(5)を成長させる際に触媒として働く金属または合金を含む触媒層(3)を導電性材料(2)上に形成する過程と、触媒層の金属または合金を処理して微粒子化する過程と、金属または合金微粒子(3a)を触媒として導電性材料上にカーボンナノチューブを形成する過程とを有し、触媒層の金属または合金を微粒子化する過程が、不活性ガスを供給しつつ、導電性材料上に形成された触媒層を所定の温度で加熱する過程を有することを特徴とするカーボンナノチューブの形成方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
導電性材料上にカーボンナノチューブを形成する方法であって、
カーボンナノチューブを成長させる際に触媒として働く金属または合金を含む触媒層を前記導電性材料上に形成する過程と、
前記触媒層の金属または合金を処理して微粒子化する過程と、
前記金属または合金の微粒子を触媒として前記導電性材料上に前記カーボンナノチューブを形成する過程とを有し、
前記触媒層の金属または合金を処理して微粒子化する過程が、不活性ガスを供給しつつ、前記導電性材料上に形成された前記触媒層を所定の温度で加熱する過程を有することを特徴とするカーボンナノチューブの形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (19件)：
4G146AA11
, 4G146AD15
, 4G146AD24
, 4G146BA12
, 4G146BA42
, 4G146BC08
, 4G146BC23
, 4G146BC26
, 4G146BC33A
, 4G146BC33B
, 4G146BC44
, 4G146DA03
, 5H018BB00
, 5H018BB01
, 5H018EE03
, 5H018EE05
, 5H018HH00
, 5H018HH01
, 5H018HH08
