特許
J-GLOBAL ID：200903075097186214

気相重合法による伝導性高分子の合成方法及びその製造物

発明者：
ジン・ヨル・キム

ジン・ヨル・キム について

, 
エン・リュル・キム

エン・リュル・キム について


出願人/特許権者：
ハンヤン・ハク・ウォン・カンパニー・リミテッド

ハンヤン・ハク・ウォン・カンパニー・リミテッド について


代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-280290
公開番号（公開出願番号）：特開2003-082105
出願日： 2001年09月14日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：
【要約】【課題】 従来の方法より製造過程を短縮すると共に、製造原価を節減することができる一方、薄膜特性が優秀であり、電気伝導度を自由に調節することができる気相重合法による伝導性分子の合成方法を提供する。【解決手段】 本発明は基材表面に酸化剤を数μm単位で塗布し、乾燥器で乾燥する段階と、酸化剤で塗布された基材に気体状態の単量体を接触させることで、基材の表面で重合反応を行う段階と、重合が完了した後、未反応単量体及び酸化剤を除去する洗浄段階とを含む伝導性高分子の合成方法を提供することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基材表面に酸化剤を数μm単位で塗布し、乾燥器で乾燥する段階と、酸化剤が塗布された基材に気体状態の単量体を接触させることにより、基材の表面で重合反応を行う段階と、重合が完了した後に未反応単量体及び酸化剤を除去する洗浄段階と、を含むことを特徴とする気相重合法による伝導性高分子の合成方法。
IPC (5件)：
C08G 85/00 ,  C08G 61/12 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H01B 13/00
FI (6件)：
C08G 85/00 ,  C08G 61/12 ,  H01B 5/14 A ,  H01B 5/14 Z ,  H01B 13/00 503 B ,  H01B 13/00 503 Z
Fターム (37件)：
4J031AA24 ,  4J031AA26 ,  4J031AA27 ,  4J031AA28 ,  4J031AC01 ,  4J031AE11 ,  4J031AF25 ,  4J031CA02 ,  4J031CA21 ,  4J031CA50 ,  4J031CB03 ,  4J031CE01 ,  4J032BA01 ,  4J032BA02 ,  4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA08 ,  4J032BA09 ,  4J032BA13 ,  4J032BA14 ,  4J032BB01 ,  4J032BC02 ,  4J032BC06 ,  4J032BC07 ,  4J032BC10 ,  4J032CE01 ,  4J032CG01 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB03 ,  5G307FC03 ,  5G307GA05 ,  5G307GB01 ,  5G307GC01 ,  5G323AA01 ,  5G323BA05 ,  5G323BB06
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (11件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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