特許
J-GLOBAL ID：200903075133499879

薄膜パターン及びその形成方法

発明者：
渡部 慶二

渡部 慶二 について

, 
五十嵐 美和

五十嵐 美和 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-112564
公開番号（公開出願番号）：特開2001-297970
出願日： 2000年04月13日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：
【要約】【課題】 高アスペクト比で高精度な、パターンの細りなどの欠陥を有しない微細薄膜パターンを提供すること。【解決手段】 被加工基板上において、薄膜パターンを、パターニングとそれに続くガラス化処理によって形成されたシリコン含有材料由来のレジストパターンをマスクとし、そのレジストパターンを被加工基板上にすでに形成されている薄膜にドライエッチング処理で転写することによって形成する。
請求項（抜粋）：
被加工基板上に形成された薄膜パターンであって、前記薄膜パターンが、パターニングとそれに続くガラス化処理によって形成されたシリコン含有材料由来のレジストパターンをマスクとし、そのレジストパターンを前記被加工基板上にすでに形成されている薄膜にドライエッチング処理で転写することによって形成されたものであることを特徴とする薄膜パターン。
IPC (6件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 501 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/3065
FI (6件)：
G03F 7/075 511 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 501 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/302 H
Fターム (40件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BF30 ,  2H025FA03 ,  2H025FA15 ,  2H025FA17 ,  2H025FA28 ,  2H025FA30 ,  2H025FA41 ,  2H096AA27 ,  2H096BA20 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA06 ,  2H096GA03 ,  2H096GA08 ,  2H096HA03 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  2H096KA02 ,  2H096KA19 ,  5F004AA04 ,  5F004BA04 ,  5F004BA11 ,  5F004DA26 ,  5F004EA02 ,  5F004FA04 ,  5F004FA05 ,  5F004FA08 ,  5F046CA07 ,  5F046CA08 ,  5F046LB01 ,  5F046NA01 ,  5F046NA14 ,  5F046NA19
引用特許：
審査官引用 (11件)
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