特許
J-GLOBAL ID：200903075153952693

欠陥解析システム、記録媒体、欠陥解析方法、及び工程管理方法

発明者：
島田 章宏

島田 章宏 について

, 
伏田 篤郎

伏田 篤郎 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-194581
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019421
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】 短時間で致命率を算出することができ、且つその算出精度を高めることができる欠陥解析システム、記録媒体、欠陥解析方法、及び工程管理方法を提供すること。【解決手段】 シリコン(半導体)ウエハに対して行われる複数の工程のうちの一つの工程によってシリコンウエハに新たに発生した新規欠陥を抽出するステップS1と、新規欠陥の個数を計数するステップS2と、新規欠陥の個数を計数した後に、シリコンウエハ1の上に第1、第2一層目銅配線(導電パターン)11a、11bを形成して、ボルテージコントラスト法により新規欠陥と位置が一致する銅配線11a、11bの不良箇所の個数を計数するステップS3と、新規欠陥と不良箇所のそれぞれの個数の計数値を用いて、上記一つの工程における新規欠陥の致命率RFを算出するステップS4とを有することを特徴とする欠陥解析方法による。【選択図】 図16
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの欠陥を検出して少なくとも該欠陥の位置データを出力する検査装置と、 前記半導体ウエハの上に形成された導電パターンの不良箇所をボルテージコントラスト法により検出する走査型電子顕微鏡と、 前記検査装置の前記位置データに基づいて、前記半導体ウエハに対して行われる複数の工程のうちの一つの工程によって前記半導体ウエハに新たに発生した新規欠陥を抽出し、該新規欠陥の個数を計数し、該新規欠陥と位置が一致する前記不良箇所の個数を計数し、前記新規欠陥と前記不良箇所のそれぞれの個数の計数値を用いて前記一つの工程における前記新規欠陥の致命率を算出する制御部と、 を有することを特徴とする欠陥解析システム。
IPC (3件)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/00 ,  H01L 21/66
FI (3件)：
H01L21/02 Z ,  H01L21/00 ,  H01L21/66 J
Fターム (6件)：
4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA38 ,  4M106DB05 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ38
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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