特許
J-GLOBAL ID：200903075169348486

反応性イオンエッチング装置及び方法

発明者：
塚田 勉

塚田 勉 について


出願人/特許権者：
日電アネルバ株式会社

日電アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-306010
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142450
出願日： 1993年11月12日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 基板ホルダーとは別個のプラズマ発生装置を用いた反応性イオンエッチング装置において、プラズマ発生装置と基板との距離を短くし、プラズマ発生室に接続している処理室部分を加熱し、反応性ガスを処理室側から導入することにより、Siに対してSiO2膜を高選択比で高速にかつ異方性良好にエッチングする。【構成】 石英製のプラズマ発生室10の周囲に設けたループ状プアンテナ14でプラズマ28を発生させる。処理室12の上面にヒ-タ18を取り付け、100°C以上に加熱する。バイアス用高周波電源24によりウェーハ26に負のバイアスを印加する。ウェーハ26の直径150mmに対して、距離L1、L2、L3をいずれも150mm以下に設定してある。C4F8ガスを処理室12内に導入すると、プラズマ28で反応生成物が生成され、Siウェーハ上のSiO2膜は高選択比で高速にかつ異方性良好にエッチングされる。
請求項（抜粋）：
エッチング処理される基板を保持する基板ホルダーと、この基板ホルダーとは独立したプラズマ発生装置とを備えた反応性イオンエッチング装置において、前記プラズマ発生装置で形成された高密度プラズマ領域から前記基板ホルダーまでの距離が基板ホルダーの直径よりも小さいことを特徴とする反応性イオンエッチング装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C01B 33/12 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 特開平3-079025
  • 誘導RF結合を用いたプラズマ加工装置とその方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-169619   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
  • 特開平4-290428
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