特許

J-GLOBAL ID：200903075169391098

導電膜パターンの形成方法

発明者： 都築 斉一
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-237850
公開番号（公開出願番号）：特開2009-071037
出願日： 2007年09月13日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：

【課題】真空下での成膜工程やフォトリソグラフィー法を用いることなく、微細な導電膜パターンを高精度に形成することができる導電膜パターンの形成方法を提供する。【解決手段】基板の上に、導電膜用インクに対する濡れ性が高い高濡れ性領域と、濡れ性が低い低濡れ性領域とからなる濡れ性パターンを形成した後、インクジェット方式によって導電膜用インクを塗布して高濡れ性領域の上に導電膜を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板の上にインクジェット方式によって導電膜用インクを塗布することにより導電膜パターンを形成する導電膜パターンの形成方法において、 前記基板の上に、前記導電膜用インクに対する濡れ性が高い高濡れ性領域と、濡れ性が低い低濡れ性領域とからなる濡れ性パターンを形成する工程と、 前記濡れ性パターンが形成された基板の上にインクジェット方式によって前記導電膜用インクを塗布し、前記高濡れ性領域の上に導電膜を形成する工程と、を有することを特徴とする導電膜パターンの形成方法。

IPC (5件)：

H05K 3/12 ,  G02F 1/134 ,  H05K 3/10 ,  H05K 3/18 ,  G09F 9/30

FI (5件)：

H05K3/12 610C ,  G02F1/1343 ,  H05K3/10 D ,  H05K3/18 A ,  G09F9/30 330Z

Fターム (26件)：

2H092HA06 ,  2H092KB04 ,  2H092MA01 ,  2H092MA10 ,  2H092MA35 ,  2H092NA27 ,  5C094AA43 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094EA10 ,  5C094JA08 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA22 ,  5E343AA35 ,  5E343BB05 ,  5E343BB72 ,  5E343DD12 ,  5E343DD32 ,  5E343EE35 ,  5E343EE36 ,  5E343ER01 ,  5E343ER25 ,  5E343ER60 ,  5E343GG01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 絶縁基板上に導電パターンを形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-006890   出願人：株式会社アルバック
• 印刷回路基板の回路パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-233337   出願人：サムソンエレクトロ-メカニックスカンパニーリミテッド.