特許
J-GLOBAL ID：200903075194157989

半導体装置及びその製造方法

発明者：
田子 雅基

田子 雅基 について

, 
冨田 至洋

冨田 至洋 について

, 
高橋 健司

高橋 健司 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について

, 
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について

, 
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-304708
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110726
出願日： 2000年10月04日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップのフリップチップ実装において、実装時や実使用時の高温環境や、温度サイクル環境で拡散によって軟質の接合材料から金属間化合物層へ変化するような構造変化をなくし、かつ拡散によって生じる偏析等の欠陥による信頼性の低下を防止しする。【解決手段】 半導体チップ1上の電極2と基板4上の電極2とが相互に対向するように電気的に接続された半導体装置であって、半導体チップ1上の電極2と基板4上の電極2とは、所望の電極材料と接合材料3とにより形成された金属化合物層5を介して接合されている。
請求項（抜粋）：
半導体チップ上の第1の電極と基板上の第2の電極とが相互に対向するように電気的に接続された半導体装置において、上記第1の電極と上記第2の電極とは、所望の電極材料と前記第1および第2の電極の少なくとも一方に供給された接合材料とにより形成された金属間化合物層を介して接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311
FI (6件)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 D ,  H01L 21/92 602 G ,  H01L 21/92 602 R ,  H01L 21/92 603 A ,  H01L 21/92 604 A
Fターム (10件)：
5F044KK01 ,  5F044KK05 ,  5F044KK17 ,  5F044KK18 ,  5F044KK19 ,  5F044LL05 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04 ,  5F044RR02
引用特許：
審査官引用 (7件)
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