特許
J-GLOBAL ID：200903075213530610

半導体レーザアレー

発明者：
デカイ サン

デカイ サン について


出願人/特許権者：
ゼロックス コーポレイション

ゼロックス コーポレイション について


代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-257783
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145567
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 埋め込み層式手法でレーザ内に固有(ネイティブ)酸化物層を形成する場合、酸化度の制御が困難であり、レーザ素子の歩留まりが悪くなってしまう。【解決手段】 エッジ放出形レーザアレーの構造100において、活性層108を流れる電流は固有(ネイティブ)酸化物層178が境界を規定されるアパーチャ180,182,184,186に制限される。固有(ネイティブ)酸化物層178とアパーチャの境界は、選択的層混合及び横方向湿式酸化処理によって決められる。よって、エッチングや再成長法は用いるより、高い歩留まりを得ることができる。
請求項（抜粋）：
エッジ放出形レーザアレーであって、前記エッジ放出形レーザの各々が、基板と、前記基板上に形成された複数の半導体層と、前記複数の半導体層中の層であって、活性領域を形成する一つ以上の層と、前記活性領域を流れる電流を制限するアパーチャであって、前記複数の半導体層中の混合領域によって形成され、かつ、前記複数の半導体層内に形成された断続的な直線上溝から延びている固有酸化物層によって境界を規定されるアパーチャと、前記固有酸化物層であって、前記アレー内の隣り合ったエッジ放出形レーザ間を電気的に絶縁させる固有酸化物層と、前記活性領域にバイアス電位を加え得る第一および第二の電極と、を含むことを特徴とするエッジ放出形レーザアレー。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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