特許

J-GLOBAL ID：200903075225208692

ポジ型レジスト材料

発明者： 竹村 勝也 ,  土谷 純司 ,  石原 俊信 ,  田中 啓順 ,  河合 義夫 ,  中村 二朗
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-331724
公開番号（公開出願番号）：特開平8-160623
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【構成】 下記一般式(1)【化1】(式中、Qはt-ブチル基、t-ブトキシカルボニルメチル基、トリメチルシリル基又はテトラヒドロピラニル基を示す。nは1〜3の整数、x,mはx+m=1であるが、xは0になることはない。)で示されるシリコーンポリマーと、照射される放射線の作用により分解して酸を発生する酸発生剤との2成分を含むアルカリ水溶液で現像可能なポジ型レジスト材料。【効果】 本発明のポジ型レジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にKrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。また、酸素プラズマエッチング耐性に優れているため、下層レジストの上に本発明のレジスト膜を塗布した2層レジストは、微細なパターンを高アスペクト比で形成し得るという特徴も有する。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)【化1】(式中、Qはt-ブチル基、t-ブトキシカルボニルメチル基、トリメチルシリル基又はテトラヒドロピラニル基を示す。nは1〜3の整数、x,mはx+m=1であるが、xは0になることはない。)で示されるシリコーンポリマーと、照射される放射線の作用により分解して酸を発生する酸発生剤との2成分を含むアルカリ水溶液で現像可能なポジ型レジスト材料。

IPC (6件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/075 521 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-106549
  
• ポジ型レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-294009   出願人：日本電信電話株式会社
• ポジ型レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-041714   出願人：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
• 特開平4-107460
  
• 放射線感応性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-124774   出願人：沖電気工業株式会社