VCSEL作成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：本城雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-319810
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222805
出願日： 1995年11月15日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【課題】製造性が良く、消費電力の低いVCSEL装置を提供するVCSEL構造を提供する。【解決手段】その上に第1分散ブラッグ反射積層部105と、活性領域107と、第2分散ブラッグ反射積層部109と、接触領域111と、誘電層115とが配置された表面を有する基板103が提供される。誘電層115,接触領域111を貫通して第2分散ブラッグ反射積層部109の部分内まで延在する第1分離トレンチ201が形成される。誘電層が基板304上に配置される。窒化物層304,接触領域111,第2分散ブラッグ反射部109,活性領域107および第1分散ブラッグ反射部の一部を貫通して第2分離トレンチ307が形成され、第2分離トレンチ307は第1分離トレンチを囲む。第1分散ブラッグ反射部105の上に第1電気接触が形成され、接触領域111の上に第2電気接触604が形成される。

請求項（抜粋）：

リッジ縦型空洞表面放出レーザを作成する方法であって:その上に第1分散ブラッグ反射積層部(105)と、活性領域(107)と、第2分散ブラッグ反射積層部(109)と、接触領域(111)と、誘電層(115)とが配置された表面を有する基板(103)を設ける段階であって、前記第1分散ブラッグ反射積層部(105)が前記表面上にあり、前記活性領域(107)が前記第1分散ブラッグ反射積層部(105)上にあり、前記第2分散ブラッグ反射積層部(109)が前記活性領域(107)上にあり、前記誘電層(115)が前記接触領域(111)の上にある基板を設ける段階;前記誘電層(115)および前記接触領域(111)を貫通し、前記第2分散ブラッグ反射積層部(109)の部分内まで第1分離トレンチ(201)をパターニングしてリッジ(206)を作成する段階であって、前記第1分離トレンチ(201)が前記誘電層(115)の一部と、前記接触領域(111)と、前記第2分散ブラッグ反射積層部(109)の一部とを囲む段階;前記誘電層(115)と、前記接触領域(111)と、前記第2分散ブラッグ反射積層部(109)と、前記活性領域(107)と、前記第1分散ブラッグ反射積層部の一部とを貫通して前記第1分離トレンチ(201)の周囲に境界線を描く第2分離トレンチ(307)をパターニングする段階;前記第1分散ブラッグ反射積層部(105)上に第1電気接触(314)を形成する段階;および前記リッジ(206)の前記接触領域(111)の上に第2電気接触(604)を形成する段階;によって構成されることを特徴とする方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-211186
注入物をもつ頂部放出型VCSEL
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-087758 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
面発光型半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-098545 出願人：古河電気工業株式会社

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