特許

J-GLOBAL ID：200903075255171815

TFT型液晶表示装置およびその製造方法

発明者： 三井 健二 ,  山口 彩子
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-069910
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270853
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】トランジスタのソースおよびドレイン領域の半導体層の抵抗値が大きくなることを防止し、配線接続のためのコンタクト穴をドライエッチングで形成するとき多結晶珪素膜がエッチングされすぎてコンタクト穴部の半導体層がなくなってしまう問題を改善したTFT型液晶表示装置及び製造方法を提供する。【解決手段】第1の半導体層12を形成し、第1の半導体層12の表面に第1の絶縁膜14を形成し、ゲート電極15を形成し、第1の半導体層12に砒素または硼素イオンをドープし、ゲート電極15を覆って第2の絶縁膜16を形成し、第1および第2の絶縁膜の一部を開口し、開口部で第1の半導体層12と接続した第2の半導体層17を形成し、第2の半導体層17に砒素または硼素イオンをドープして絶縁ゲート(MIS)型半導体トランジスタを形成する。

請求項（抜粋）：

第1のトランジスタが形成された半導体層のソース・ドレイン部分に、第1の半導体層の一部と接続された第2の半導体層が形成され、前記第2の半導体層に砒素および硼素から選ばれる少なくとも一つのイオンがドープされて絶縁ゲート(MIS)型トランジスタが形成されていることを特徴とするTFT型液晶表示装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (30件)：

5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL08 ,  5F110HL27 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-054099   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-318938
  
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-116644   出願人：富士ゼロックス株式会社