放熱基板およびそれを用いた半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：堀口浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-237534
公開番号（公開出願番号）：特開2007-053246
出願日： 2005年08月18日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：

【課題】熱伝導率が高く、熱膨張係数がシリコンに近く、軽量化が可能な放熱基板およびそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】銅基板上に、ニッケル薄膜、さらにその上に高融点金属薄膜を設け、かつ熱伝導率が250W/m・K以上であることを特徴とする放熱基板であり、高融点金属としてタングステン、モリブデンの少なくとも1種の金属または合金からなることが好ましい。また、銅とニッケルの接合界面、ニッケルと高融点金属の接合界面に、銅とニッケルの固溶体、ニッケルと高融点金属の固溶体が存在することが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：