半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-185648
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051149
出願日： 1994年08月08日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】高集積化に適し、電気的信頼性の高い多層配線構造を提供する。【構成】タングステンよりなる下部配線層5が形成されている。下部配線層5上に層間絶縁層7が形成されている。層間絶縁層7には、下部電極層5の一部表面を露出するビアホール7aが形成されている。ビアホール7aを通じて下部配線層5と接するように上部配線層1、3が形成されている。上部配線層は、窒化チタン膜1とその窒化チタン膜1上に形成されたタングステン膜3とを有している。窒化チタン膜1は、ビアホール7aの底壁の一部においてのみ下部配線層5と接している。

請求項（抜粋）：

第1の配線層と、前記第1の配線層上に形成され、前記第1の配線層の一部表面に達する穴を有する絶縁層と、前記穴を通じて前記第1の配線層と電気的に接続される第2の配線層とを備え、前記穴の底壁面は前記第1の配線層の表面よりなり、前記第2の配線層は、前記穴の底壁面の一部にのみ選択的に接しており、前記第2の配線層が前記第1の配線層と接する部分において、前記第2の配線層は、前記第1の配線層とは被エッチング特性の異なる材料よりなる導電層を有している、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (10件)

集積回路においてコンタクト構成体を製造する方法及び構成体
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-104428 出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド
特開平4-226054
特開平4-223358

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