特許
J-GLOBAL ID：200903075309726176

光電変換膜積層型カラー固体撮像装置

発明者：
鈴木 信雄

鈴木 信雄 について


出願人/特許権者：
富士フイルムマイクロデバイス株式会社

富士フイルムマイクロデバイス株式会社 について

, 
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-308276
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120921
出願日： 2004年10月22日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】 光電変換膜における光電変換特性の直線性が良好なCMOS型信号読出回路を持つハイブリッド型の光電変換膜積層型カラー固体撮像装置を提供する。【解決手段】 3原色のうちの青色用の信号読出回路と赤色用の信号読出回路と緑色用の信号読出回路114gとがMOSトランジスタ回路により形成されると共に青色の入射光受光用フォトダイオード123と赤色の入射光受光用フォトダイオード124とが形成された半導体基板120と、半導体基板120の上に積層され緑色の入射光を受光して光電荷を発生させる光電変換膜140と、光電変換膜140に画素毎に分離して被着された画素電極膜112を半導体基板120に形成されたコンタクト部144に接続する縦配線135と、半導体基板120に形成されコンタクト部144と緑色用信号読出回路114gとの間に設けられた電位障壁部143とを設ける。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
3原色のうちの第1色用の信号読出回路と第2色用の信号読出回路と第3色用の信号読出回路とがMOSトランジスタ回路により形成されると共に前記第1色の入射光受光用フォトダイオードと前記第2色の入射光受光用フォトダイオードとが形成された半導体基板と、該半導体基板の上に積層され前記第3色の入射光を受光して光電荷を発生させる光電変換膜と、該光電変換膜に画素毎に分離して被着された画素電極膜を前記半導体基板に形成されたコンタクト部に接続する縦配線と、前記半導体基板に形成され前記コンタクト部と前記第3色用の信号読出回路との間に設けられた電位障壁部とを備えることを特徴とする光電変換膜積層型カラー固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10
FI (2件)：
H01L27/14 F ,  H01L31/10 D
Fターム (26件)：
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA09 ,  4M118CA15 ,  4M118CA17 ,  4M118CA27 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118DD12 ,  4M118GC07 ,  4M118GC14 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5F049MA02 ,  5F049MA20 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049SE02 ,  5F049TA13 ,  5F049WA03 ,  5F049WA09
引用特許：
出願人引用 (4件)
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